| dbo:abstract
|
- Indium-Gallium-Zink-Oxid (IGZO) ist ein Halbleitermaterial, das als Kanal für einen transparenten Dünnschichttransistor verwendet werden kann. Es ersetzt amorphes Silicium als aktive Schicht in einem LC-Bildschirm und ermöglicht mit einer 40-mal höheren Elektronenbeweglichkeit gegenüber amorphem Silicium kleinere Pixel (für Bildschirmauflösungen höher als die von HDTV) und schnellere Reaktionsgeschwindigkeit für einen Bildschirm. Der Vorteil gegenüber Zinkoxid ist, dass es als einheitliche amorphe Phase abgeschieden werden kann (unter Beibehaltung der hohen Ladungsträgerbeweglichkeit des Oxid-Halbleiters). Die Transistoren sind etwas lichtempfindlich, aber der Effekt wird nur im tiefvioletten bis ultravioletten Bereich (Photonenenergie oberhalb von 3 eV) sichtbar und bietet die Möglichkeit eines vollständig transparenten Transistors. (de)
- Indium gallium zinc oxide (IGZO) is a semiconducting material, consisting of indium (In), gallium (Ga), zinc (Zn) and oxygen (O). IGZO thin-film transistors (TFT) are used in the TFT backplane of flat-panel displays (FPDs). IGZO-TFT was developed by Hideo Hosono's group at Tokyo Institute of Technology and Japan Science and Technology Agency (JST) in 2003 (crystalline IGZO-TFT) and in 2004 (amorphous IGZO-TFT). IGZO-TFT has 20–50 times the electron mobility of amorphous silicon, which has often been used in liquid-crystal displays (LCDs) and e-papers. As a result, IGZO-TFT can improve the speed, resolution and size of flat-panel displays. It is currently used as the thin-film transistors for use in organic light-emitting diode (OLED) TV displays. IGZO-TFT and its applications are patented by JST. They have been licensed to Samsung Electronics (in 2011) and Sharp (in 2012). In 2012, Sharp was first to start production of LCD panels incorporating IGZO-TFT. Sharp uses IGZO-TFT for smartphones, tablets, and 32" LCDs. In these, the aperture ratio of the LCD is improved by up to 20%. Power consumption is improved by LCD idling stop technology, which is possible due to the high mobility and low off current of IGZO-TFT. Sharp has started to release high pixel-density panels for notebook applications. IGZO-TFT is also employed in the 14" 3,200x1,800 LCD of an ultrabook PC supplied by Fujitsu, also used in the Razer Blade 14" (Touchscreen Variant) Gaming Laptop and a 55" OLED TV supplied by LG Electronics. IGZO's advantage over zinc oxide is that it can be deposited as a uniform amorphous phase while retaining the high carrier mobility common to oxide semiconductors. The transistors are slightly photo-sensitive, but the effect becomes significant only in the deep violet to ultra-violet (photon energy above 3 eV) range, offering the possibility of a fully transparent transistor. The current impediment to large-scale IGZO manufacturing is the synthesis method. The most widely used technique for Transparent Conducting Oxide (TCO) synthesis is Pulsed Laser Deposition(PLD). In PLD, a laser is used to focus on nano-sized spots on solid elemental targets. Laser pulse frequencies are varied between the targets in ratios to control the composition of the film. IGZO can be deposited onto substrates such as quartz, single-crystal silicon, or even plastic due to its ability for low-temperature deposition. The substrates are placed in a PLD vacuum chamber, which controls oxygen pressure in order to ensure favorable electrical properties. After synthesis, the film is annealed, or gradually exposed to air to adjust to the atmosphere. While PLD is a useful and versatile synthesis technique, it requires expensive equipment and plenty of time for each sample to adjust to regular atmospheric conditions. This is not ideal for industrial manufacturing. is a more cost effective alternative. Specifically, techniques can be used. Kim et al. used a metal nitrate solution with an oxidizer to create an exothermic reaction. One common type of combustion synthesis is spin coating, which involves depositing In and Ga solution layers onto a hot plate and annealing at temperatures roughly between 200 and 400 degrees C, depending on the target composition. The films can be annealed in air, which is a large advantage over PLD. (en)
- IGZO（이그조) 또는 Indium Gallium Zinc Oxide는 인듐・갈륨・아연・산소로 구성된 를 뜻한다. 다른 말로는 이것을 이용한 액정 디스플레이를 뜻한다. (ko)
- Indium gallium zinc oxide (IGZO) è un materiale semiconduttivo, costituito da indio (In), gallio (Ga), zinco (Zn) e ossigeno (O). Il TFT avente l'IGZO è usato nel backplane degli schermi piatti (FPD). L'IGZO-TFT è stato sviluppato dal gruppo di Hideo Hosono presso il Tokyo Institute of Technology con la collaborazione della Japan Science and Technology Agency (JST) nel 2003 (crystalline IGZO-TFT) e nel 2004 (amorphous IGZO-TFT). Nell'IGZO-TFT, l'elettrone ha una mobilità superiore, rispetto al silicio amorfo (usato molto comunemente negli LCD e gli e-papers), che può variare dalle 20-50 volte. Come risultato, l'IGZO-TFT può migliorare la velocità, la risoluzione e la dimensione degli schermi piatti. È considerato come uno dei TFT più promettenti per poter essere usato nei pannelli OLED. IGZO-TFT e le sue applicazioni sono di proprietà di JST. Sono stati conferiti in licenza a Samsung Electronics (nel 2011) e Sharp (nel 2012). (it)
- IGZO（イグゾー）は、インジウム (Indium)、ガリウム (Gallium)、亜鉛 (Zinc)、酸素 (Oxygen) から構成される物質の略称。 (ja)
- Оксид индия, галлия и цинка (англ. Indium gallium zinc oxide, сокр. IGZO) — полупроводниковый материал, который может быть использован как канал для прозрачных тонкоплёночных транзисторов. Эти материалы могут являться заменой аморфного кремния для активной матрицы ЖК-экранов и дисплеев OLED. Подвижность электронов этого материала в сорок раз выше, чем у аморфного кремния, что позволяет уменьшить размер пикселя (для получения разрешения намного выше, чем формат HDTV) или время отклика экрана. Новые транзисторы на базе технологии IGZO не требуют постоянного обновления своего состояния при показе неподвижного изображения. Это даёт возможность уменьшить влияние интерференции со стороны электронных компонентов экрана и сократить энергопотребление. Использование IGZO ведёт к повышению точности и чувствительности сенсорных панелей. (ru)
- 氧化銦鎵鋅（英語：indium gallium zinc oxide，缩写：IGZO）是一種LCD薄膜電晶體顯示器技術，IGZO結晶最初由於1985年合成，1990年代由東京工業大學教授細野秀雄與日本科学技术振兴机构（JST）共同開發成IGZO透明不定形氧化物半導體技術。IGZO技術可提高面板解析度同時又降低成本，但IGZO面板對光、水以及氧都相當敏感，耐用度上只能用做民間消費品，不能用於高可靠度的軍用或工業環境。 IGZO與非晶矽相比能夠縮小電晶體尺寸，提高液晶面板畫素的開口率，較易實現解析度高出一倍，電子遷移率快十倍，成為OLED技術的最大對手。 日本科學技術振興機構（JST）把技術專利於2011年授權予三星電子，2012年夏普(Sharp)亦獲得授權。 LTPS（低溫多矽顯示面板）的表現在某些方面比IGZO更佳（如電子遷移率比IGZO快約十倍），但是LTPS用在小尺寸面板上才能有可接受的成本，在中大尺寸面板上使用IGZO技術的成本則比使用LTPS低很多。 (zh)
- Оксид індію, галію та цинку (англ. Indium gallium zinc oxide, скор. IGZO) - напівпровідниковий матеріал, який може бути використаний як канал для прозорих тонкоплівкових транзисторів. Ці матеріали можуть бути заміною аморфного кремнію для активного шару РК-екранів. Рухливість електронів цього матеріалу в сорок разів вища, ніж у аморфного кремнію, що дозволяє зменшити розмір пікселя (для отримання роздільної здатності набагато вищої, ніж формат HDTV) або час відгуку екрана. (uk)
|
| rdfs:comment
|
- IGZO（이그조) 또는 Indium Gallium Zinc Oxide는 인듐・갈륨・아연・산소로 구성된 를 뜻한다. 다른 말로는 이것을 이용한 액정 디스플레이를 뜻한다. (ko)
- IGZO（イグゾー）は、インジウム (Indium)、ガリウム (Gallium)、亜鉛 (Zinc)、酸素 (Oxygen) から構成される物質の略称。 (ja)
- 氧化銦鎵鋅（英語：indium gallium zinc oxide，缩写：IGZO）是一種LCD薄膜電晶體顯示器技術，IGZO結晶最初由於1985年合成，1990年代由東京工業大學教授細野秀雄與日本科学技术振兴机构（JST）共同開發成IGZO透明不定形氧化物半導體技術。IGZO技術可提高面板解析度同時又降低成本，但IGZO面板對光、水以及氧都相當敏感，耐用度上只能用做民間消費品，不能用於高可靠度的軍用或工業環境。 IGZO與非晶矽相比能夠縮小電晶體尺寸，提高液晶面板畫素的開口率，較易實現解析度高出一倍，電子遷移率快十倍，成為OLED技術的最大對手。 日本科學技術振興機構（JST）把技術專利於2011年授權予三星電子，2012年夏普(Sharp)亦獲得授權。 LTPS（低溫多矽顯示面板）的表現在某些方面比IGZO更佳（如電子遷移率比IGZO快約十倍），但是LTPS用在小尺寸面板上才能有可接受的成本，在中大尺寸面板上使用IGZO技術的成本則比使用LTPS低很多。 (zh)
- Оксид індію, галію та цинку (англ. Indium gallium zinc oxide, скор. IGZO) - напівпровідниковий матеріал, який може бути використаний як канал для прозорих тонкоплівкових транзисторів. Ці матеріали можуть бути заміною аморфного кремнію для активного шару РК-екранів. Рухливість електронів цього матеріалу в сорок разів вища, ніж у аморфного кремнію, що дозволяє зменшити розмір пікселя (для отримання роздільної здатності набагато вищої, ніж формат HDTV) або час відгуку екрана. (uk)
- Indium-Gallium-Zink-Oxid (IGZO) ist ein Halbleitermaterial, das als Kanal für einen transparenten Dünnschichttransistor verwendet werden kann. Es ersetzt amorphes Silicium als aktive Schicht in einem LC-Bildschirm und ermöglicht mit einer 40-mal höheren Elektronenbeweglichkeit gegenüber amorphem Silicium kleinere Pixel (für Bildschirmauflösungen höher als die von HDTV) und schnellere Reaktionsgeschwindigkeit für einen Bildschirm. (de)
- Indium gallium zinc oxide (IGZO) is a semiconducting material, consisting of indium (In), gallium (Ga), zinc (Zn) and oxygen (O). IGZO thin-film transistors (TFT) are used in the TFT backplane of flat-panel displays (FPDs). IGZO-TFT was developed by Hideo Hosono's group at Tokyo Institute of Technology and Japan Science and Technology Agency (JST) in 2003 (crystalline IGZO-TFT) and in 2004 (amorphous IGZO-TFT). IGZO-TFT has 20–50 times the electron mobility of amorphous silicon, which has often been used in liquid-crystal displays (LCDs) and e-papers. As a result, IGZO-TFT can improve the speed, resolution and size of flat-panel displays. It is currently used as the thin-film transistors for use in organic light-emitting diode (OLED) TV displays. (en)
- Indium gallium zinc oxide (IGZO) è un materiale semiconduttivo, costituito da indio (In), gallio (Ga), zinco (Zn) e ossigeno (O). Il TFT avente l'IGZO è usato nel backplane degli schermi piatti (FPD). L'IGZO-TFT è stato sviluppato dal gruppo di Hideo Hosono presso il Tokyo Institute of Technology con la collaborazione della Japan Science and Technology Agency (JST) nel 2003 (crystalline IGZO-TFT) e nel 2004 (amorphous IGZO-TFT). Nell'IGZO-TFT, l'elettrone ha una mobilità superiore, rispetto al silicio amorfo (usato molto comunemente negli LCD e gli e-papers), che può variare dalle 20-50 volte. Come risultato, l'IGZO-TFT può migliorare la velocità, la risoluzione e la dimensione degli schermi piatti. È considerato come uno dei TFT più promettenti per poter essere usato nei pannelli OLED. (it)
- Оксид индия, галлия и цинка (англ. Indium gallium zinc oxide, сокр. IGZO) — полупроводниковый материал, который может быть использован как канал для прозрачных тонкоплёночных транзисторов. Эти материалы могут являться заменой аморфного кремния для активной матрицы ЖК-экранов и дисплеев OLED. Подвижность электронов этого материала в сорок раз выше, чем у аморфного кремния, что позволяет уменьшить размер пикселя (для получения разрешения намного выше, чем формат HDTV) или время отклика экрана. Новые транзисторы на базе технологии IGZO не требуют постоянного обновления своего состояния при показе неподвижного изображения. Это даёт возможность уменьшить влияние интерференции со стороны электронных компонентов экрана и сократить энергопотребление. Использование IGZO ведёт к повышению точности и (ru)
|
