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- إثميد الألومنيوم (أو أنتيمونيد الألومنيوم) هو مركب كيميائي لاعضوي، وهو يوجد على شكل صلب أسود؛ ويعد المركب من المواد شبه الموصلة. (ar)
- L'antimonur d'alumini (AlSb) és un semiconductor del grup III-V que conté alumini i antimoni. Es poden fer aliatges amb semiconductors del mateix grup per formar , i . Aquest compost s'utilitza preferentment en dispositius electro-òptics. És un material prometedor per a semiconductors d'alta temperatura com transistors o díodes d'unió P-N a causa d'una banda prohibida de 1.62 eV, també és interessant per millorar el rendiment de les cèl·lules solars. És un compost bastant inflamable a causa de la tendència reductora de l'anió antimonur (Sb3−). Si es crema produeix òxid d'alumini i triòxid d'antimoni. (ca)
- Aluminium antimonide (AlSb) is a semiconductor of the group III-V family containing aluminium and antimony. The lattice constant is 0.61 nm. The indirect bandgap is approximately 1.6 eV at 300 K, whereas the direct band gap is 2.22 eV. Its electron mobility is 200 cm²·V−1·s−1 and hole mobility 400 cm²·V−1·s−1 at 300 K. Its refractive index is 3.3 at a wavelength of 2 μm, and its dielectric constant is 10.9 at microwave frequencies. AlSb can be reacted with other III-V materials to produce ternary materials including , and . Aluminum antimonide is rather flammable because of the reducing tendency of the antimonide (Sb3−) ion. It burns to produce aluminum oxide and antimony trioxide. (en)
- Aluminiumantimonid ist eine intermetallische Verbindung aus Aluminium und Antimon und ist ein III-V-Verbindungshalbleiter. Aluminiumantimonid ist als potentieller Werkstoff für Solarzellen interessant. Dazu kann es auch mit anderen III-V-Verbindungshalbleitern versetzt werden. Mit diesen ternären Halbleitern (zum Beispiel AlInSb, AlGaSb and AlAsSb.) ist es möglich, die Bandlücke an das Sonnenspektrum besser anzupassen. (de)
- L'antimoniure d'aluminium (AlSb) est un semi-conducteur III-V binaire, constitué d'aluminium et d'antimoine. (fr)
- El antinoniuro de aluminio es un semiconductor del grupo III-V compuesto por antimonio y aluminio. Puede ser aleado con semiconductores del mismo grupo para formar , y . Este compuesto se utiliza principalmnete en ciertos dispositivos electro-òpticos. Es un material prometedor para semiconductores de altatemperatura como transistores o diodos de unión P-N debido a una banda prohibida de 1.62 eV, es un material prometedor para mejorar el rendimiento de células solares. (es)
- Is comhdhúil é Antamóiníd alúmanaim (AlSb) agus is é AlSb an fhoirmle atá aige. Is ábhar lánseolta é den chlann III-V, ina bhfuilalúmanam agus antamón. Is é 0.61 nm a thairiseach laitíseach. Is é a bhandabhearna indíreach ná timpeall 1.6 eV ag 300 K, cé go bhfuil a bhandabhearna díreach 2.22 eV. Is é 200 cm²·V−1·s−1 a shoghluaisteacht leictreonach agus 400 cm²·V−1·s−1 a shoghluaisteacht phollach, ag 300 K. Is é a Innéacs Athraonach na 3.3 ag tonnfhad 2 µm. Is é a thairiseach tréleictreach ná 10.9 ag mhinicíochta micreathonnáin. Is féidir le Antamóiníd alúmanaim bheith cóimhiotlaithe le hábhair III-V eile, chun na miotal treasach seo a leanas:, agus . (ga)
- アンチモン化アルミニウム（アンチモンかアルミニウム、Aluminium antimonide、AlSb）は、アルミニウムとアンチモンを含むIII-V族半導体である。格子定数は、0.61 nmである。間接バンドギャップは、300 Kで約1.6 eVであるが、直接バンドギャップは2.22 eVである。 300 Kで、電子移動度は200 cm2·V−1·s−1、正孔移動度は400 cm2·V−1·s−1である。屈折率は、波長2 μmで3.3、誘電率はマイクロ波波長で10.9である。 アンチモン化アルミニウムは、他のIII-V族材料と混晶を作ることができ、(AlInSb)、(AlGaSb)、(AlAsSb)等の三元混晶を形成する。 アンチモン化アルミニウムは、(Sb3-)が還元性を持つために可燃性があり、燃えると酸化アルミニウムと三酸化アンチモンが生成する。 (ja)
- Antymonek glinu, AlSb – nieorganiczny związek chemiczny połączenie glinu i antymonu, półprzewodnik. Zastosowanie w produkcji m.in. detektorów promieniowania X oraz gamma działających w temperaturze pokojowej.Jego szerokość przerwy zabronionej w temperaturze 300 K wynosi 1,6 eV. (pl)
- Aluminiumantimonide is een chemische metaalbinding tussen aluminium en antimoon. De roosterconstante bedraagt 0,61 nm. De band gap bedraagt bij een temperatuur van 300 K ongeveer 1,6 eV. (nl)
- 銻化鋁（Aluminium antimonide）是一種半導體材料，為III-V 族，其中分子裡包含了銻和鋁，而它的晶格常數為0.61 nm，能隙在300K時是1.6 eV，至於它的有2.22eV。 (zh)
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- إثميد الألومنيوم (أو أنتيمونيد الألومنيوم) هو مركب كيميائي لاعضوي، وهو يوجد على شكل صلب أسود؛ ويعد المركب من المواد شبه الموصلة. (ar)
- Aluminiumantimonid ist eine intermetallische Verbindung aus Aluminium und Antimon und ist ein III-V-Verbindungshalbleiter. Aluminiumantimonid ist als potentieller Werkstoff für Solarzellen interessant. Dazu kann es auch mit anderen III-V-Verbindungshalbleitern versetzt werden. Mit diesen ternären Halbleitern (zum Beispiel AlInSb, AlGaSb and AlAsSb.) ist es möglich, die Bandlücke an das Sonnenspektrum besser anzupassen. (de)
- L'antimoniure d'aluminium (AlSb) est un semi-conducteur III-V binaire, constitué d'aluminium et d'antimoine. (fr)
- El antinoniuro de aluminio es un semiconductor del grupo III-V compuesto por antimonio y aluminio. Puede ser aleado con semiconductores del mismo grupo para formar , y . Este compuesto se utiliza principalmnete en ciertos dispositivos electro-òpticos. Es un material prometedor para semiconductores de altatemperatura como transistores o diodos de unión P-N debido a una banda prohibida de 1.62 eV, es un material prometedor para mejorar el rendimiento de células solares. (es)
- アンチモン化アルミニウム（アンチモンかアルミニウム、Aluminium antimonide、AlSb）は、アルミニウムとアンチモンを含むIII-V族半導体である。格子定数は、0.61 nmである。間接バンドギャップは、300 Kで約1.6 eVであるが、直接バンドギャップは2.22 eVである。 300 Kで、電子移動度は200 cm2·V−1·s−1、正孔移動度は400 cm2·V−1·s−1である。屈折率は、波長2 μmで3.3、誘電率はマイクロ波波長で10.9である。 アンチモン化アルミニウムは、他のIII-V族材料と混晶を作ることができ、(AlInSb)、(AlGaSb)、(AlAsSb)等の三元混晶を形成する。 アンチモン化アルミニウムは、(Sb3-)が還元性を持つために可燃性があり、燃えると酸化アルミニウムと三酸化アンチモンが生成する。 (ja)
- Antymonek glinu, AlSb – nieorganiczny związek chemiczny połączenie glinu i antymonu, półprzewodnik. Zastosowanie w produkcji m.in. detektorów promieniowania X oraz gamma działających w temperaturze pokojowej.Jego szerokość przerwy zabronionej w temperaturze 300 K wynosi 1,6 eV. (pl)
- Aluminiumantimonide is een chemische metaalbinding tussen aluminium en antimoon. De roosterconstante bedraagt 0,61 nm. De band gap bedraagt bij een temperatuur van 300 K ongeveer 1,6 eV. (nl)
- 銻化鋁（Aluminium antimonide）是一種半導體材料，為III-V 族，其中分子裡包含了銻和鋁，而它的晶格常數為0.61 nm，能隙在300K時是1.6 eV，至於它的有2.22eV。 (zh)
- L'antimonur d'alumini (AlSb) és un semiconductor del grup III-V que conté alumini i antimoni. Es poden fer aliatges amb semiconductors del mateix grup per formar , i . Aquest compost s'utilitza preferentment en dispositius electro-òptics. És un material prometedor per a semiconductors d'alta temperatura com transistors o díodes d'unió P-N a causa d'una banda prohibida de 1.62 eV, també és interessant per millorar el rendiment de les cèl·lules solars. (ca)
- Aluminium antimonide (AlSb) is a semiconductor of the group III-V family containing aluminium and antimony. The lattice constant is 0.61 nm. The indirect bandgap is approximately 1.6 eV at 300 K, whereas the direct band gap is 2.22 eV. Its electron mobility is 200 cm²·V−1·s−1 and hole mobility 400 cm²·V−1·s−1 at 300 K. Its refractive index is 3.3 at a wavelength of 2 μm, and its dielectric constant is 10.9 at microwave frequencies. AlSb can be reacted with other III-V materials to produce ternary materials including , and . (en)
- Is comhdhúil é Antamóiníd alúmanaim (AlSb) agus is é AlSb an fhoirmle atá aige. Is ábhar lánseolta é den chlann III-V, ina bhfuilalúmanam agus antamón. Is é 0.61 nm a thairiseach laitíseach. Is é a bhandabhearna indíreach ná timpeall 1.6 eV ag 300 K, cé go bhfuil a bhandabhearna díreach 2.22 eV. Is é 200 cm²·V−1·s−1 a shoghluaisteacht leictreonach agus 400 cm²·V−1·s−1 a shoghluaisteacht phollach, ag 300 K. Is é a Innéacs Athraonach na 3.3 ag tonnfhad 2 µm. Is é a thairiseach tréleictreach ná 10.9 ag mhinicíochta micreathonnáin. (ga)
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- Aluminiumantimonide (nl)
- Antymonek glinu (pl)
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